세미콘 타이완 2024 개막삼성, 종합반도체기업 자신감HBM 성능 높일 기술력 확보10나노미만 DDR 청사진 제시SK,이달 HBM3E 12단 양산발열 최소화할 AI메모리 개발
발열 최소화할 AI메모리 개발 "메모리 공정만으로는 고대역폭메모리 성능을 높이는 데 한계가 있는데 삼성전자는 파운드리·시스템LSI도 자체 보유해 가장 강력한 위치에 있다."삼성전자와 SK하이닉스 사장들이 'AI 메모리' 기술 리더십을 놓고 맞붙었다. 이번 전장은 실리콘 아일랜드를 넘어 'AI 아일랜드'로 거듭나고 있는 대만이다. 4일 삼성전자와 SK하이닉스는 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2024'에서 혁신 기술을 선보였다. 포문은 삼성전자가 열었다. 이정배 삼성전자 메모리사업부장은 세미콘 타이완에서 기조연설에 나서"AI 시대에 전력 소비가 급증하면서 AI 메모리의 성능 제한이나 용량 문제가 발생했다"며"삼성전자는 고성능·저전력 제품뿐 아니라 온디바이스 AI에 특화된 솔루션을 개발하는 중"이라고 밝혔다.
종합 반도체 기업으로서 '턴키' 솔루션을 강점으로 내세웠다. 이 사장은"메모리 공정에 로직 기술을 결합해야 HBM 성능을 높일 수 있다"며"파운드리와 시스템LSI도 자체 보유하고 있어 강력한 위치에 있는 기업이 삼성전자"라고 강조했다. 이 사장은"HBM에 고객 요구에 따른 맞춤형 로직을 추가할 수 있도록 지원하기 시작했다"며"고객 요구에 맞춰 턴키 솔루션과 지식재산권 방식을 모두 제공할 수 있다"고 설명했다. 더블데이터레이트 로드맵도 밝혔다. 특히 삼성전자는 2027년엔 10나노 미만의 한 자릿수 노드를 도입하겠다는 계획을 처음 밝혔다. 2026년에는 10나노급 1d 제품, 2027년에는 0a 나노급 제품을 출시하겠다는 것이다. 반도체업계에선 2030년께 한 자릿수 노드를 도입할 수 있을 것으로 내다봤는데, 삼성전자가 시기를 앞당긴 셈이다.
SK하이닉스도 반격에 나섰다. 특히 TSMC·엔비디아와 삼각 동맹을 맺었다는 점을 강조했다. 김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당은 기조연설에서"이달 말부터 HBM3E 12단 양산에 돌입한다"며"베이스 다이에 로직 기술을 처음 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업해 생산할 예정"이라고 밝혔다. 김 사장은"AGI에 다다르기 위해선 전력·방열과 메모리 대역폭 난제를 해결해야 한다"며 SK하이닉스는 고용량·고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 AI 메모리를 개발하고 있다"고 말했다. 구체적으로는 △듀얼인라인 메모리모듈 △쿼드러플레벨셀 기반의 기업용 솔리드스테이트드라이브 △저전력 반도체를 시장에 공급하고 있다고 강조했다. 김 사장은"SK하이닉스는 QLC 기반의 eSSD를 양산하는 유일한 업체로, 향후에는 120TB 모델을 선보일 계획"이라고 설명했다.
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