Die Speicherexperten von Samsung haben erste Informationen zum kommenden GDDR7-Grafikspeicher bekannt gegeben. hardware gaming
Bei diesem soll die Geschwindigkeit im Vergleich zu GDDR6-Speicher verdoppelt werden, wodurch höhere Speicherbandbreiten oder schmalere Anbindungen realisiert werden können. Lesen Sie daher im Folgenden mehr dazu und zu Samsungs Vorgehen in einem angespannten PC-Markt.
Eine Neuerung der RTX-4000-Reihe ist der GDDR6X-Speicher, der mit 21 Gbps arbeiten darf. Das ist abermals schneller als die vormaligen 18 Gbps und wenn es nach Samsung geht, ist das Ende der Fahnenstange noch lange nicht erreicht. In Zeiten der Umsatzrückgänge und vorsichtiger Sparmaßnahmen im PC-Markt investiert das koreanische Unternehmen weiter in seine neuen Speichertechnologien, um sich die Marktführerschaft zu sichern.
Beim NAND-Flash ist Samsung bereits jetzt sehr gut aufgestellt und testet aktuell die neunte und zehnte Generation des V-NAND, die eine höhere Speicherdichte als die aktuellen SSDs mit dem 176-lagigen V-NAND der siebten Generation bieten sollen. Die achte Generation, mit der am Ende des Jahres gerechnet wird, setzt dabei auf ein 230-lagiges Design und eine Erhöhung der Speicherdichte um 42 Prozent.
Im Jahr 2030 will Samsung ein ambitioniertes Ziel erreichen und 1.000-lagigen V-NAND vorstellen. Gleichzeitig arbeitet das Unternehmen weiter an QLC-Speicher, um diesen schneller zu machen und die Speicherdichte weiter zu erhöhen.