25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 웨이퍼를 트럭으..
삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했습니다.삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했습니다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술입니다. 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였습니다.삼성전자 파운드리사업부는 이날 출하식에서 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다'는 포부를 밝혔습니다.
경계현 사장은 인사말에서 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”면서 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 평가했습니다. 이창양 장관은 축사에서 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체 업계의 노력에 감사를 표했습니다. 이어 “앞으로도 3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다”고 강조했습니다. 국내 소부장 및 시스템반도체 기업들은 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산 등을 공동 개발함으로써 3나노 제품 양산을 뒷받침했습니다. 이에 이번 성과는 사실상 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 것이라고 산업부는 평가했습니다.
특히 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보 자산이어서 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크며, 글로벌 반도체 공급망에 이바지하는 한국의 위상도 한층 높아질 것으로 산업부는 기대했습니다.삼성전자는 화성캠퍼스에 이어 향후 평택 캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품의 양산을 확대해 나갈 예정입니다.
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